فایلیا | دانلود فایل | دانلود تحقیق و مقاله

پروژه شماره ۲

عنوان پروژه : DRAM (گذشته ، امروز ، آينده)

مقدمه :

همانطوريكه مي دانيم امروزه بشر در عصر ارتباطات و تكنولوژي به حافظه براي تجهيزات مختلف نيازمند است . يكي از انواع حافظه ها DRAM يا Dynamic Random memory مي باشد كه اين DRAM ها مصارف مختلفي دارند از جمله در Computing ، infrastueture ، Entertainment و infocom و جاهاي ديگر صنعتي.

براي ساخت DRAM در تكنولوژيهاي مختلفي استفاده شده است كه ما در اينجا از ساده ترين DRAM ها شروع مي كنيم كه از يك ترانزيستور و خازن و AMP استفاده شده است و به ساختار DRAM  هاي ۱k و ۴k و ۱۶k و … مي پردازيم . و نهايتاً يكي از تكنولوژيهاي جديدي كه در ساخت DRAM ها بكار رفته است را شرح مي‌دهيم . اين تكنولوژي هاي ساخت DRAM با استفاده از SO1 (Silicon on islatnr) مي باشد .

مشخص است كلاً Cycle time يا سرعت تكرار از زمان دسترسي يا access time بزرگتر است و اين مقادير حدود  و  هستند . اين data در خازنهايي ذخيره مي شوند كه نشتي دارند و بايد هر  refresh شوند . اما مشكلي كه DRAM  دارد اينست كه با افزايش تراكم و چگالي (density) پهناي باند افزايش نمي‌يابد .

Technology Trends

جدول زير وضعيت DRAM ها از نظر Chip و سرعت و cycle Time كه طي سالهاي ۱۹۸۶-۲۰۰۲ مورد بررسي و مقايسه قرار گرفته اند را نشان مي دهد .

قبل از اينكه در ادامه بحث به انواع DRAM ها بپردازيم ۲ نوع از مهمترين آنها DDR DRAM SDRAM را توضيح مي دهيم .

SDRAM : نوع بهبود يافته DRAM است كه مخفف عبارت Synchronous

توجه به اين نكته ضروري است كه DRAM ها به refresh نياز دارند (برعكس SRAM ها) زيرا داراي جريان نشتي هستند . همچنين آدرسها در DRAM به ۲ قسمت تقسيم مي شود :

۱-RAS (Row Access Strobe)

۲-Cas (Column Access Strobe)

پارامترهاي كليدي Timing در يك DRAM :

۱- : كمترين زمان از Ras Line تا يك ديتاي خروجي معتبر و با ارزش كه اين زمان مثلاً براي يك ۴Mb DRAM حدوداً ۶۰ns است .

۲-: كمترين زمان از شروع يك row Access تا شروع بعدي كه اين زمان براي يك ۴Mbit DRAM با  تقريباً

ساده آن به شكل زير است كه از يك ترانزيستور ساده و خازن و يك AMP تشكيل شده است .

DRAM ها داراي خصوصياتي از جمله Read و Write هستند . اساس سلول DRAM از نظر Cross-Section و Layout در شكل زير مشخص است و عيب اين روش area مي باشد . علاوه بر اين ، ۲ خصوصيت عمده از DRAM ها ذكر شده است كه عبارتند از :

۱-Stacked cell(Expand up) : طبق شكل

۲-Trench cell(Expand Down)  : طبق شكل

همانطوريكه گفته شد DRAM مي تواند عمل Read و Write را انجام دهد .

براي عمل write بايد bitline يا در حالت high باشد يا low و word line بايد از موقعيت high باشد .

اما براي عمل Read bitline در وضعيت precharge است تا ولتاژ halfway شود

پارامترهاي كليدي Timing در يك DRAM :

۱- : كمترين زمان از Ras Line تا يك ديتاي خروجي معتبر و با ارزش كه اين زمان مثلاً براي يك ۴Mb DRAM حدوداً ۶۰ns است .

۲-: كمترين زمان از شروع يك row Access تا شروع بعدي كه اين زمان براي يك ۴Mbit DRAM با  تقريباً  است .

۳- : كمترين زمان از CAS Line تا يك ديتاي خروجي معتبر و با ارزش كه اين زمان براي DRAM 4Mb با  حدود  است .

۴- : كمترين زمان از شروع يك Column Access تا شروع بعدي است . كه اين زمان هم براي يك ۴Mbit DRAM با  حدود  است .

…………………..